本发明公开了一种平面栅型IGBT芯片制作方法，先进行正面处理，对半导体衬底进行第二N型载流子埋层的注入、退火；进行第一N型载流子埋层注入窗口刻蚀、注入、退火；对第一N型载流子埋层进行刻蚀；去除半导体衬底表面的氧化层；在第一N型载流子埋层外表面进行绝缘材料沉积，对沉积绝缘材料进行光刻与刻蚀，形成介质埋层；完成余下的正面处理工艺；再进行背面处理，将背面部分减薄至所需厚度；N缓冲层区注入、掺杂与推进、退火；P+集电极区注入、掺杂与推进、退火；制作集电极金属电极。本发明降低了IGBT芯片的导通压降，优化了与关断损耗的折中关系，实现了更低的功耗，从而提高了IGBT芯片的功率密度、工作结温和可靠性。