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低供电电压带隙参考电路及方法
编号:S000021083 刷新日期: 有效日期至:2020-11-16 浏览:1816 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明涉及低供电电压带隙参考电路及方法。一种用于在1伏特或更低工作的带隙参考电压的电路和方法,其中运算放大器(A1)仅驱动电阻器(R2,R3),使得消除由在正比于绝对温度(PTAT)回路中作为电流镜使用的公知的金属氧化物半导体器件导致的闪变噪声作用和工艺敏感度。插入两个对称的电阻分压器对(R1A/R1B,R2A/R2B),以按比例地降低双极性晶体管(Q1,Q2)的基极-发射极电压(VEB1,VEB2)和PTAT电流(IPTAT),从而输出参考电压(VREF)变得可调大小。附加的V-I转换器(319)使用VREF本身产生通过晶体管(M3,M4)的适当的偏置电流,导致最终的对工艺、电压和温度不敏感的输出参考电压,晶体管(M3,M4)分别用于偏置双极性晶体管(Q1,Q2)和电阻分压器对(R1A/R1B,R2A/R2B)。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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