一种P型GaN低流量掺杂剂控制生长方法属于半导体材料制备领域。Cp₂Mg作为p型掺杂剂，在衬底上依次往上生长低温成核层，非故意掺杂GaN层，然后是p型GaN层，生长p型GaN是先生长非掺杂GaN，生长时间为10s，然后通入CP₂Mg源，生长时间为8s，并以这样18s为一个单周期重复生长，共生长320～350个周期。CP₂Mg流量控制在35sccm～50sccm之间，生长温度为920℃‐980℃。本案方法能够增加Mg原子掺入效率，抑制其自补偿效应，提高空穴浓度，改善晶体质量，从而获得高性能的p型GaN材料，为降低GaN基LED器件的正向压降和提高使用寿命提供有益的帮助。