本发明公开了一种物理气相沉积设备，涉及半导体工艺技术领域，使靶基间距的调节更加方便。该设备包括：上电极，用于放置基片的腔室，位于上电极和腔室之间的工艺组件以及固定连接于上电极的开盖架，用于支撑开盖架的支撑结构，支撑结构包括：升降支架和轴承座安装板，其中：轴承座安装板，固定连接于升降支架上端，开盖架通过转轴固定连接于轴承座安装板；升降支架，用于支撑轴承座安装板上升或下降，升降支架的下端与腔室的底面所在平面固定连接；通过调节升降支架自身的高度，使固定连接于升降支架上端的轴承座安装板连同开盖架、转轴和上电极同时上升或下降，以便调节上电极和腔室之间的距离。