本发明公开了虚拟结构和方法。制造半导体器件的方法包括：在基板上形成材料层；使用第一主图案来图案化第一半球区域；使用第二主图案来图案化第二半球区，其中，第一主图案与第二主图案不同。所述方法还包括在第一半球区域中引入第一虚拟图案，从而使得第一半球区域中第一主图案和第一虚拟图案的第一侧壁区表面密度与第二半球区中第二主图案的第二侧壁区表面密度基本相同。