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> 技术详情
一种发光二极管的制造方法
编号：S000022201
刷新日期：
有效日期至：
2020-10-11
浏览：
3552
次
对接邀请：
0
次
意向价格：
面议
所在区域：
中国 - 江苏
技术领域：
智能制造 - 装备制造业
转让类型：
科技服务
专利类型：
发明专利
技术成熟度：
可以量产
供应描述
本发明公开了一种发光二极管的制造方法，该方法制得的发光二极管结构为：自下往上依次为n型电极（1）、蓝宝石衬底（2）、低温缓冲层（3）、n型掺杂的Al
0.05
In
0.05
Ga
0.9
N层（4）、交替形成的超晶格结构的n-Al
0.05
In
0.05
Ga
0.9
N/n-AI
0.05
In
0.05
Ga
0.9
P多量子阱层（5）、p型掺杂的AlGaN层（6）、p型掺杂的Al
0.1
In
0.05
Ga
0.85
N层（7）、交替形成的超晶格结构的p-Al
0.05
In
0.1
Ga
0.85
N/p-AI
0.05
In
0.1
Ga
0.85
P多量子阱层（8），透明金属层（9）以及p型电极（10）。
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机构地址：
Floor 4,B Building of Redbud Flower Business Center,Xinchangxilu Road,Jinfeng District,Yinchuan City,Ningxia,China
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认证方式：
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