本发明公开了一种台阶结构的发光二极管，所述发光二极管的结构为：在硅衬底（1）上具有外延生长的碳化硅外延层（2），在该碳化硅外延层（2）上依次具有低温缓冲层（3、）n型掺杂的Al_0.05In_0.05Ga_0.9N层（4）、交替形成的超晶格结构的n-Al_0.05In_0.05Ga_0.9N/n-AI_0.05In_0.05Ga_0.9P多量子阱层（5）、p型掺杂的AlGaN层（6）、p型掺杂的In_0.05Ga_0.95N层（7）、交替形成的超晶格结构的p-In_0.1Ga_0.95N/p-In_0.1Ga_0.95P多量子阱层（8），第一透明金属层（9）以及p型电极（10），其中在所述n型掺杂的Al_0.05In_0.05Ga_0.9N层（4）上具有第二透明金属层（11）以及n电极（12）。