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一种ZnO/Al/ZnO光电透明导电薄膜的沉积制备方法
编号:S000022901 刷新日期: 有效日期至:2020-09-29 浏览:1242 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 辽宁 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明属于透明导电材料领域,具体涉及一种ZnO/Al/ZnO光电透明导电薄膜的沉积制备方法。本发明方法是将玻璃基片清洗送入气相沉积反应室,向反应室内同时通入携带有Zn(CH2CH3)2的氩气和氧气,沉积制备20-50nm厚的ZnO薄膜,然后将基片置于磁控溅射室中,以纯Al为靶材进行磁控溅射,溅射5-30nm厚的Al膜,再将基片转移至气相沉积反应室中,再次沉积制备20-50nm厚的ZnO薄膜,对上述基片于100-400℃高温退火,得到结构为ZnO/Al/ZnO的光电透明导电薄膜。本发明制备工艺简单,沉积过程易于控制。本发明制备的透明导电薄膜均匀性好,光电性能优异,可用于制造太阳能电池、发光二极管、LCD以及手机等光电器件的透明电极。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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