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> 技术详情
SiO
2
薄膜厚度的测量方法
编号:S000025351
刷新日期:
有效日期至:
2020-12-26
浏览:
3737
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
信息通信 - 电子信息及通讯
转让类型:
合作研发
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明SiO
2
薄膜厚度的测量方法,涉及采用光学方法计量厚度,是基于光纤激光器的SiO
2
薄膜厚度的测量方法,分为测量在SiO
2
氧化炉中Si片上生长的SiO
2
薄膜的厚度的动态测量方法和测量生长有SiO
2
薄膜的Si片上的SiO
2
薄膜厚度的静态测量方法两种,在测量操作的实施中采用在线实时测量操作或离线单独测量操作,所用的仪器和部件包括光纤激光器、载物架、接收屏、A/D转换器和DSP微处理器,该测量方法对SiO
2
薄膜的膜的表面没有损伤,克服了现有技术测量SiO
2
薄膜厚度的精度不高或所用设备的价格昂贵的缺点。
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机构地址:
Floor 4,B Building of Redbud Flower Business Center,Xinchangxilu Road,Jinfeng District,Yinchuan City,Ningxia,China
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认证方式:
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