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用于基于2.5D/3D系统芯片的宽I/O DRAM的DRAM测试架构
编号:S000025714
刷新日期:
有效日期至:
2020-11-25
浏览:
3615
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
信息通信 - 电子信息及通讯
转让类型:
科技服务
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明公开了用于基于2.5D/3D系统芯片的宽I/O?DRAM的DRAM测试架构,包括逻辑管芯和存储管芯。在2.5D结构中,逻辑管芯和存储管芯安装在中介片上。在3D结构中,存储管芯安装在逻辑管芯上。逻辑管芯包括包裹有处理器测试外壳的控制逻辑。处理器测试外壳启动控制逻辑的测试部件。存储管芯还安装在中介片上。存储管芯包括动态随机存取存储器和通道选择/旁路逻辑。控制逻辑经由通道选择/旁路逻辑连接至动态随机存取存储器,通过处理器测试外壳来控制通道选择/旁路逻辑。
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机构地址:
Floor 4,B Building of Redbud Flower Business Center,Xinchangxilu Road,Jinfeng District,Yinchuan City,Ningxia,China
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认证方式:
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