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制造薄膜太阳能电池的方法

编号：S000029950 刷新日期：有效日期至：2020-12-05 浏览：3620 次对接邀请：0次

意向价格：面议

所在区域：中国 - 广东技术领域：能源与环保 - 太阳能利用

转让类型：技术转让

专利类型：发明专利技术成熟度：可以量产

供应描述

本发明涉及CIGS太阳能电池制造。本发明揭示一种使用卷对卷式装置制造CIGS薄膜太阳能电池的方法。本发明揭示通过以下步骤制造半导体薄膜Cu(InGa)(SeS)₂的方法：依序电镀包含铜、铟、镓以及硒元素或其合金的多个前驱物层的堆叠，接着在介于450℃与700℃之间的温度下发生硒化。

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