本发明涉及一种多晶硅太阳能电池扩散方法，其特征在于该扩散方法的工艺步骤如下：进舟→升温→氧化→扩散→再分布→降温→出舟，其中扩散步骤先进行低温预沉积再进行高温扩散。本发明由于低温下磷源无法完成与硅片的反应，因此扩散第一步低温通源时只进行低温预沉积，磷源无法向硅片体内扩散（或进行速率非常低的扩散），而仅在硅片表面堆积，经过一定时间通源后，硅片表面形成一定厚度的磷膜；第二步高温通源时才进行高温扩散，原硅片表面的磷与硅片反应，并向硅片体内扩散，此时硅片中心点与四周扩散速率相同，因此扩散均匀性较好，硅片表面及体内杂质浓度分布均匀，提高硅片方阻均匀性，从而提高电池片最终光电转换效率。