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> 技术详情
沉积氮化硅膜的方法、晶硅太阳能电池及其制作方法
编号：S000031565
刷新日期：
有效日期至：
2020-10-16
浏览：
3538
次
对接邀请：
0
次
意向价格：
面议
所在区域：
中国 - 河北
技术领域：
能源与环保 - 太阳能利用
转让类型：
合作研发
专利类型：
发明专利
技术成熟度：
可以量产
供应描述
本发明提供了一种沉积氮化硅膜的方法、晶硅太阳能电池及其制作方法。该沉积氮化硅膜的方法采用平板式PECVD沉积氮化硅膜，平板式PECVD的带速为180~200cm/min，平板式PECVD的腔室包括2n条气路，n为1
1且反应气体中各气体组分的体积比为a；后（n+1）条气路中每条气路的反应气体流量为Q
2
且反应气体中各气体组分的体积比为b，Q
1
和Q
2
不相等，a和b不相等。本发明在高带速下沉积氮化硅膜，通过改变反应气的流量控制方法得到两层氮化硅膜，改善了氮化硅膜的减反射作用。
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机构地址：
Floor 4,B Building of Redbud Flower Business Center,Xinchangxilu Road,Jinfeng District,Yinchuan City,Ningxia,China
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认证方式：
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