本发明公开了一种双面受光型晶体硅太阳电池的制备方法，包括如下步骤：(1)将原始硅片进行清洗，去除背面的损伤层；(2)将上述硅片的正面背靠背进行单面硼扩散，硅片背面为扩散面；(3)在扩散后的硅片背面沉积掩膜层；(4)将硅片的正面进行清洗，去除损伤层，制绒，去除绕射扩散层；(5)将硅片的背面背靠背进行单面磷扩散，硅片正面为扩散面；(6)去除扩散形成的周边结、杂质玻璃以及掩膜；(7)在硅片的两面分别沉积减反膜；(8)在硅片的两面分别印刷金属电极，烧结，即可得到双面受光型晶体硅太阳电池。本发明避免了绕射对电池电性能的影响，电池的光电效率可以提高0.3~0.5%，具有积极的现实意义。