本发明公开了一种通孔结构的纯α-SiC材料的制备方法，利用碳化硅粉与碳化硼粉混合均匀并装入石墨坩埚，放入感应烧结炉中，在坩埚顶部盖上石墨纸或石墨盖，抽真空并充入高于4×10⁴Pa的氩气后加热至2100～2600℃，保温0.5～4h，高温下B₄C掺杂的SiC粉料通过升华传送到坩埚顶部，碳化硅在坩埚顶部石墨纸下面通过VLS和螺旋位错机理进行形核长大，在石墨纸盖上得到的通孔结构的纯α相SiC多孔陶瓷材料，可广泛应用于柴油车尾气颗粒捕集器或催化剂载体、尾气处理、污水处理等环保领域。