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半导体器件的制造方法
编号:S000018274 刷新日期: 有效日期至:2020-10-24 浏览:1652 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明提供一种半导体器件的制造方法,其通过使来自热时效处理温度的冷却速度适当,能够提高半导体芯片的表面电极与金属丝的接合部的可靠性。在将添加Ni的铝金属丝(10)键合在半导体芯片(5)的Al-Si电极膜(表面电极7)之后,在300℃以下的高温下进行热时效处理,然后,按照1℃/min以下的冷却速度进行逐渐冷却,由此能够除去键合时的加工应变,抑制热时效处理后的冷却时所导入的热应变,从而能够提供具有高可靠性的半导体器件(100)。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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