半导体器件(100A)具备：栅极电极(3)和栅极绝缘层(4)；氧化物层(50)，其形成在栅极绝缘层(4)之上，包含半导体区域(51)和与半导体区域(51)接触的第一导电体区域(55)，半导体区域(51)的至少一部分隔着栅极绝缘层(4)与栅极电极(3)重叠；覆盖半导体区域(51)的上表面的保护层(8b)；与半导体区域(51)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；和以隔着电介质层与第一导电体区域(55)的至少一部分重叠的方式配置的透明电极(9)，漏极电极(6d)与第一导电体区域(55)接触，在从基板的法线方向看时，保护层(8b)的端部与漏极电极(6d)的端部、源极电极(6s)的端部或栅极电极(3)的端部大致对齐，半导体区域(51)与第一导电体区域(55)的边界的至少一部分，与保护层(8b)的端部大致对齐。