本发明关于一种化合物半导体晶圆结构，包含一基板、一n型场效晶体管磊晶结构，一n型掺杂蚀刻终止层、一p型插入层以及一npn异质接面双极晶体管磊晶结构，可用以制作场效晶体管、异质接面双极晶体管或门流管晶体管。