本发明公开一种互补式金属氧化物半导体元件及其制造方法。第一半导体层配置于基底上且具有通道区与位于通道区两侧的两个掺杂区。第一介电层配置于基底上且覆盖第一半导体层。栅极配置于第一介电层上，其中栅极对应第一半导体层的通道区。第二介电层配置于第一介电层上且覆盖栅极。第二半导体层配置于第二介电层上且对应栅极。第二半导体层的边界不超出栅极的边界。至少一第一导电插塞贯穿第一介电层与第二介电层并与第一半导体层的掺杂区其中一者接触。至少一接点与第二半导体层接触。另提出互补式金属氧化物半导体元件的制造方法。