本发明提供化合物半导体及其制造方法。本发明提供一种AlGaN/GaN？HEMT，其包括化合物半导体堆叠结构；在化合物半导体堆叠结构上界定元件区的元件隔离结构；形成在元件区上而不形成在元件隔离结构上的第一绝缘膜；至少形成在元件隔离结构上并且氢含量高于第一绝缘膜的氢含量的第二绝缘膜；以及通过第二绝缘膜形成在化合物半导体堆叠结构的元件区上的栅电极。