本发明公开了一种场阻断型半导体器件的制造方法，本发明方法通过在硅片的背面形成沟槽，能使场阻断层分割成深度小于等于激光退火能达到的第一有效深度的第一场阻断层、以及横向宽度小于等于2倍的第一有效深度的第二场阻断层，从而能对场阻断层进行三维方向的激光退火；由于是激光退火，故能提高场阻断层激活率；虽然激光退火的第一有效深度只有1微米～2微米，但是采用本发明方法后，场阻断层的厚度不受激光退火的第一有效深度的限制，所以能提高场阻断层的深度。本发明还公开了一种场阻断型半导体器件的器件结构。