一种半导体封装结构的形成方法，包括：提供芯片，所述芯片的第一表面形成有金属互连层；在金属互连层表面形成第一柱状电极；在所述第一柱状电极上形成第一扩散阻挡层，刻蚀所述金属互连层形成第一底部金属层；在所述第一扩散阻挡层表面形成第一焊球，所述第一焊球至少包裹在所述第一柱状电极顶部表面和侧壁表面；提供封装基板，将所述芯片倒装到所述封装基板上且位于所述芯片上的第一焊球与所述封装基板的焊接端子互连。由于所述第一焊球形成在所述第一柱状电极上，使得所述芯片和封装基板之间的间距变大，有利于后续形成封装材料时能完全填充满所述芯片和封装基板之间的间隙，避免影响芯片的稳定性和可靠性。