本发明是一种适合于亚微米栅长半导体器件制造的栅介质刻蚀方法，包括：1）介质层上涂覆光刻胶层，介质层的厚度在150nm-250nm；2）通过曝光显影在光刻胶层上形成A栅脚图形，A栅脚图形的线宽在50nm-250nm；3）采用ICP刻蚀的方法以光刻胶层为掩膜，对A栅脚图形中的介质层进行刻蚀，反应气体CHF₃，气体流量5sccm-20sccm，反应气压0.1Pa-0.5Pa，上电极功率为0W，下电极功率30-100W，刻蚀去除介质层总厚度的60%-80%，4）对剩余介质层采用低损伤干法刻蚀的方法刻蚀去除。优点：线宽损失小、低损伤，在同样光刻线宽情况下获得更小的栅长，有助于获得更好的器件频率特性。