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薄膜晶体管、阵列基板及显示装置
编号:S000019631 刷新日期: 有效日期至:2020-09-27 浏览:1726 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明提供了一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置,所述薄膜晶体管包括:栅电极、栅绝缘层、有源层、源电极及漏电极;其中,所述有源层包括至少两层半导体薄膜,所述至少两层半导体薄膜包括至少一层单晶半导体薄膜。通过本发明的方案,可以提高薄膜晶体管的载流子迁移率。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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