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薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示装置
编号:S000019832 刷新日期: 有效日期至:2020-10-09 浏览:75 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明的实施例提供一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示装置,涉及显示技术领域,可简化薄膜晶体管的工艺制程,从而节约成本。该薄膜晶体管的制备方法包括在基板上形成栅极、栅绝缘层、半导体有源层、源极和漏极的步骤;形成所述栅绝缘层和所述半导体有源层的步骤包括:制备绝缘层薄膜;其中,所述绝缘层薄膜的材料包括金属氧化物绝缘材料;对所述绝缘层薄膜的预定区域进行离子注入,以使所述预定区域内的部分厚度的所述绝缘层薄膜的金属氧化物绝缘材料转化为金属氧化物半导体材料,形成所述半导体有源层,其余所述绝缘层薄膜形成所述栅绝缘层。用于薄膜晶体管、包括该薄膜晶体管的阵列基板及显示装置的制造。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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