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基于高电子迁移率晶体管太赫兹波空间外部调制器
编号:S000020135 刷新日期: 有效日期至:2020-12-31 浏览:1710 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 四川 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
基于高电子迁移率晶体管太赫兹波空间外部调制器,属于电磁功能器件技术领域,本发明包括半导体衬底1、外延层2、调制单元组4,外延层2设置于半导体衬底1上,在外延层2上设置有调制单元、正电压加载电极3和负电压加载电极5;所述调制单元组包括至少3个调制单元;所述调制单元包括高电子迁移率晶体管和人工金属电磁谐振结构,各晶体管的栅极连接到负电压加载电极5,源极和漏极连接到正电压加载电极3。本发明针对空间传播太赫兹电磁波,可工作于常温、常压、非真空条件下,无需加载波导,易于封装、方便使用。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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