本发明提供一种核壳结构的发光材料，以稀土发光材料为核，以半导体Cd_1-xZn_xS为壳；所述稀土发光材料以稀土离子为发光中心；半导体Cd_1-xZn_xS中Zn的组分范围为0≤X＜1。半导体材料对于高于带隙的光子具有强烈的吸收，准连续的能带结构允许半导体在很宽的光谱范围内都具有很高的吸收系数，并且高能光子激发的电子能够有效的弛豫到导带底来向下跃迁发光。因此制备得到了核壳结构的发光材料具有出色的光转换性能发光效率高。本发明采用热压烧结和高温退火相结合的全固态反应方法，整个过程中不添加任何溶剂，避免引入含有C-H,C-O键的化合物杂质，保证了较高的发光效率。