本发明具体涉及一种以超薄硅片为衬底，以纳米TiO₂/SrTiO₃异质结有源层为基体材料，以Au为金属插指电极的高性能半导体紫外光电探测器及其制备方法。首先采用溶胶凝胶技术制备TiO₂及SrTiO₃溶胶，并在超薄硅衬底上依次生长成致密的纳米SrTiO₃薄膜及TiO₂薄膜；然后通过磁控溅射和标准的光刻、剥离技术在薄膜表面制成一定形状的Au插指电极。本发明制备的TiO₂/SrTiO₃异质结金属-半导体-金属紫外光探测器具有制备方法简单，成本低廉，有望大规模生产的特点，对波长250nm-350nm的紫外线具有良好的检测性能。