本发明提供了一种低K介质层中形成孔槽的方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成低K介质层；在所述低K介质层上形成二氧化硅层；在所述二氧化硅层上形成硬掩膜层；刻蚀所述硬掩膜层及部分厚度的二氧化硅层；对所述硬掩膜层执行回刻工艺，形成开口，所述开口的侧壁与底壁的夹角大于90度；刻蚀所述开口中的二氧化硅层及低K介质层，形成孔槽。通过在刻蚀硬掩膜层及部分厚度的二氧化硅层之后，还对所述硬掩膜层执行回刻工艺以形成开口，由此，所形成的开口具有侧壁与底壁的夹角大于90度的特性，从而避免了硬掩膜层发生底切的问题，提高了铜电镀工艺的填孔能力，从而提高了半导体工艺及所形成的器件的可靠性。