本发明提供一种具有不同切割深度的发光原件切割方法，先于半导体衬底表面制作包括多个发光外延单元的发光原件；然后依据各该发光外延单元定义出多个切割道，并于各该切割道上制备间隔排列的多个阻挡层；然后依据各该切割道从正面对所述发光原件发射多个激光脉冲，以于阻挡层下方的发光原件及半导体衬底中形成多个浅切割孔，并于未被阻挡层阻挡的发光原件及半导体衬底中形成多个深切割孔，然后去除各该阻挡层；接着制作电极形成发光单元；最后对所述发光原件进行裂片。本发明既保证了早后续的制程中晶片不容易破裂，又保证了在裂片过程中晶片的破裂效率，提高了晶片的破裂效率；由于有部分浅切割孔，可以降低切割孔对光线的吸收，提高发光效率。