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一种基于氧化铝有序纳米孔结构的电容器的制备方法
编号:S000020923 刷新日期: 有效日期至:2020-10-28 浏览:1672 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 四川 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种基于氧化铝有序纳米孔结构的电容器的制备方法,对多孔氧化铝基体材料进行表面等离子体处理;采用原子层沉积的方法制备金属纳米薄膜作为电容器的一个电极;采用原子层沉积方法沉积介电纳米薄膜作为电容器的介质材料;采用化学静电自组装方法制备导电聚合物复合纳米薄膜作为介质材料与另一个电极间的过渡材料;采用原子层沉积方法制备金属纳米薄膜作为电极材料,从而在氧化铝多孔纳米结构中获得一种金属-绝缘体-聚合物半导体-金属的电容器结构。该方法所制备的电容器具有纳米层状结构,使得电容器具有大的能量密度,并易于实现阵列化。同时该电容器制备技术克服了现有技术中所存在的缺陷,并且制备方法合理简单,易于操作。
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