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利用无缓冲剂制造工艺形成薄膜太阳能电池的方法
编号:S000021346 刷新日期: 有效日期至:2020-10-18 浏览:1662 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
一种利用无缓冲剂制造工艺形成薄膜太阳能电池的方法。一种薄膜太阳能电池及其形成方法。该太阳能电池包括底部电极层、光吸收半导体层、以及顶部电极层。该吸收剂层包括p-型内部区和在该层的周界周围由p-型内部区的改性本征区域形成的n-型外部区,从而形成作为吸收剂层固有部分的有源n-p结。该顶部电极层经由在限定侧壁的吸收剂层中形成的划线电连接于底部电极层。该吸收剂层的n-型外部区沿着吸收剂层的水平顶部延伸并在划线的垂直侧壁上延伸,以增加太阳能电池中的可用n-p结的面积,从而改善太阳光转化效率。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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