本发明涉及一种降低激光峰值退火工艺缺陷的方法，该方法包括：提供一晶圆；对所述晶圆的正面进行退火工艺后，继续对所述晶圆的背面进行清洗工艺，以去除在所述退火工艺中吸附于所述晶圆背面上的颗粒污染物。本发明通过在对晶圆进行退火工艺后，采用清洗液继续对退火后的晶圆背面进行清洗，从而使在退火过程中背面产生颗粒污染的晶圆能够在清洗液的清洗下，恢复其背面的清洁，从而减少因颗粒污染而引起的不良影响，进而提高半导体器件的良率。