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芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法
编号:S000022255 刷新日期: 有效日期至:2020-10-18 浏览:3017 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
一种芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法,包括:在衬底的表面打两个通孔;在衬底的正反两面蒸镀二氧化硅膜保护膜;将衬底放入浓硫酸和浓磷酸混合液中腐蚀,清洗;去掉衬底表面的二氧化硅膜保护膜;在衬底的一面依次生长N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层;在ITO层上一侧向下刻蚀,形成台面,该台面的中心处有一通孔;在台面的通孔的上面制作N型电极;在台面另一侧的ITO层上的通孔上制作P型电极;在台面另一侧的ITO层上的通孔的内壁制作绝缘层;在衬底背面及两个通孔内蒸镀铬金引导层;在衬底背面旋转涂覆光刻胶并做出图形,腐蚀铬金引导层。本发明可以降低了发光二极管的封装成本,特别适合大尺寸功率型发光二极管的封装应用。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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