本发明公开了一种磁性锗硅GeSi量子环及其制备方法。采用化学气相沉积方法在硅片上沉积锗硅量子环，再应用磁控溅射方法进行锗硅量子环的原位掺杂。在锗硅量子环生长过程中，磁控溅射系统不工作，在锗量子环形成之后，利用磁控溅射技术原位掺杂Mn离子。应用这种化学气相-溅射法生长的GeSi：Mn磁性量子环均匀地低分散在硅片上，呈漂亮的、高度对称的环形形状，并且在室温下具有很强的饱和磁化强度和矫顽力，呈现出很强铁磁性特征。该磁性GeSi:Mn量子环可用于制备各种电磁二极管、电磁三极管和场效应晶体管等。