本发明公开了一种高集成度功率厚膜混合集成电路的集成方法，该方法采用底座有垂直凸起金属薄片的凸形管基代替传统的平面型管基，在凸形管基的水平面及凸起部分的两侧面同时集成芯片或片式元器件，两侧面之间通过具有金属导体与底座绝缘的通孔进行电气连接；先在陶瓷基片上采用丝网印刷方式，印刷所需的导体浆料或电阻浆料，经高温烧结和激光调阻后，得到水平贴装基片及垂直贴装基片；再用共晶焊接或浆料粘接的方式将基片装贴在凸形管基底座的水平面及垂直面上；最后用厚膜混合集成方式，在基片上集成一个以上半导体芯片或片式元器件，并完成半导体芯片的引线键合。本方法生产的器件应用领域广泛，特别适用于装备系统小型化、高可靠的领域。