本发明公开了一种太阳能晶硅电池的开窗工艺，其目的在于解决传统激光开窗工艺对晶体硅基体损伤大、对厚度不均匀的硅片开窗效果不稳定，对背面沉积薄膜厚度均匀性要求高等问题。本发明采用化学蚀刻的方法进行开窗，高选择性，对硅片没有损伤，适用性好，对厚度不均匀的硅片开窗效果稳定，对背面沉积薄膜厚度均匀性要求低。