本发明公开了一种碲化镉薄膜太阳能电池背接触层制作方法，其制作过程均在真空环境中进行，步骤为：对衬底进行预加热至160～220℃；将衬底加热至230～320℃后进行碲化锑磁控溅射；将衬底冷却至80～120℃后进行镍钒合金溅射；将上述衬底降温到70℃以下后出料，采用这种方法制得的碲化镉薄膜太阳能电池背接触层镀膜均匀，针孔数量少。本发明还公开了采用上述方法制作碲化镉薄膜太阳能电池背接触层的立式镀膜装置，该装置包括但不限于采用真空阀门串联的预加热腔、保温碲化锑沉积腔、镍钒合金沉积腔、降温出料腔、真空系统等，该装置可实现对衬底的双面同时进行镀膜，增加镀膜有效区间，提高生产效率，易于检修。