一种提高硅片抗碎裂性能的方法，属于光伏材料技术领域。其特征是将硅片置于氩气或氮气气氛中，加热到300～900℃，保温0.2～4小时，然后，以低于7℃/min的速率将硅片冷却至室温出炉。本发明操作简单，成本低，可极大地提高硅片抗碎裂性能，特别是提高金刚石切割硅片抗碎裂性能，其弯折断裂应变可提高90％以上。同时明显提高多晶硅片少子寿命。使硅片后续处理及太阳电池制作过程中碎片率降低，最终降低太阳电池生产成本。