本发明提供了一种高效选择性发射极太阳电池激光掺杂方法，包括以下步骤：（1）将晶体硅片清洗并织构化，采用热扩散工艺对硅片进行初步杂质扩散，使得晶体硅片表面形成一预涂层；（2）将晶体硅片送至掩膜板正下方，使晶体硅片的几何中心与掩膜板的几何中心重合，掩膜板的漏光缝隙与晶体硅片上的电池片细栅重合，掩膜板和晶体硅片紧贴；（3）使用条形均匀激光束进行激光扫描掺杂。与现有技术相比，本发明更加充分的利用激光能量，既能避免蓝光响应降低，又可以避免PN结局部击穿，在提高激光掺杂效率的同时也提高了掺杂深度的均匀性，减少了因为局部掺杂导致的电池形变不均匀。