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用于处理绝缘体上半导体结构的工艺
编号:S000018461 刷新日期: 有效日期至:2020-11-04 浏览:1281 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明涉及一种用于处理绝缘体上半导体结构的工艺,所述工艺包括以下步骤:(i)在薄层(3)的表面上形成掩模(4),以限定所述薄层的被称作被暴露区域的区域(3a)和被所述掩模覆盖的区域(3b);以及(ii)应用热处理,以使得氧化物或氮氧化物层(2)中的至少部分氧扩散穿过被暴露区域(3a)。在步骤(ii)之前或在步骤(ii)期间,在所述被暴露区域(3a)上形成所述薄层(3)的所述半导体的氮化物或氮氧化物层(5),所述层(5)的厚度使得穿过被暴露区域(3a)的氧扩散速率与穿过被所述掩模(4)覆盖的所述区域(3b)的氧扩散速率之比大于2。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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