一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，在基底上形成介质层；在介质层上形成第一掩膜层，第一掩膜层具有暴露介质层表面的开口；以第一掩膜层为掩膜，对介质层进行等离子体刻蚀，偏置功率源以脉冲的方式输出偏置功率，当偏置功率源打开时，刻蚀部分介质层，当偏置功率源关闭时，在第一掩膜层表面形成聚合物，重复偏置功率源打开和偏置功率源关闭的过程，直至形成具有凹槽和通孔的双大马士革结构。采用等离子体刻蚀，重复刻蚀步骤和聚合物的形成步骤，使得聚合物能保持一定的厚度，保护第一掩膜层的不会损伤或损伤的速率减小，提高介质层相对于第一掩膜层的刻蚀选择比。