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> 技术详情
相移电控制取样光栅半导体激光器及其设置方法
编号:S000019237
刷新日期:
有效日期至:
2020-12-11
浏览:
2197
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 江苏
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
科技服务
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明提出了一种基于相移电控制的取样光栅半导体激光器,所述的DFB半导体激光器结构由第一与第二两个取样光栅区和一个相移区组成;两边取样光栅区中的光栅是取样布拉格光栅(SBG),中间为相移区,取样周期从1微米到数十微米量级;两个取样光栅区的电极连接在一起,但与相移区的电极相隔离;取样光栅区和相移区的有效折射率与长度,分别用n
SBG
和n
P
、L
SBG
和L
P
来表示;只要改变取样周期P的大小,就能实现对激光器激射波长的初步控制;构成相移电控制的取样布拉格光栅分布反馈式(DFB)半导体激光器。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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