一种铜或铜合金，其特征在于，α射线量为0.001cph/cm²以下。最近的半导体器件具有高密度化和高容量化，因此，受到来自于半导体芯片附近的材料的α射线的影响而发生软错误的危险增多。特别是，对于靠近半导体器件使用的铜或铜合金布线、铜或铜合金接合线、焊锡材料等的铜或铜合金的高纯度化的要求强烈，而且寻求α射线少的材料，因此，本发明的课题在于阐明铜或铜合金的α射线产生的现象并且得到能适应于所要求的材料的使α射线量降低后的铜或铜合金及以铜或铜合金作为原料的接合线。