本发明属于光致发光半导体纳米材料制备领域，尤其涉及一种具有光致发光特性的硅基量子点纳米材料的制备方法。本发明利用强流脉冲电子束制备硅基纳米量子点纳米材料，随后对不同参数下硅纳米量子点纳米材料进行光致发光特性PL测定，实验发现，经过HCPEB辐照制备出硅基纳米量子点纳米材料，并且所述纳米材料能够发出强度较高的蓝光。