本发明涉及一种CMOS半导体器件工艺，尤其涉及一种实现可剥离侧壁制程的方法。本发明通过沉积两种不同类型的氧化膜和氮化硅层，在对氮化硅层进行正常侧壁干法刻蚀后，然后使用湿法工艺对不同类型氧化膜进行刻蚀，能在剥离侧壁氮化硅层的同时不对底下的硅造成损伤，同时也不易在后续金属硅化物工艺中形成管状缺陷，改善了硅片的生产工艺，提高了产品的良率，改善了生产工艺。