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> 技术详情
在半导体上镀铜
编号：S000028355
刷新日期：
有效日期至：
2020-12-24
浏览：
3514
次
对接邀请：
0
次
意向价格：
面议
所在区域：
中国 -
技术领域：
能源与环保 - 太阳能利用
转让类型：
技术转让
专利类型：
发明专利
技术成熟度：
可以量产
供应描述
使用单价镀铜浴对半导体晶片正面(front？side)的导电轨或发射面(emitter？side)进行金属化。通过电镀或LIP，铜选择性地沉积在导电轨上。导电轨可以通过使用常规的金属镀浴再次金属化。金属化的半导体可用于光伏器件的制造中。
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机构地址：
Floor 4,B Building of Redbud Flower Business Center,Xinchangxilu Road,Jinfeng District,Yinchuan City,Ningxia,China
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认证方式：
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