该忆阻器针对传统氧化物器件导电细丝不可控及电性能不稳定问题，创新采用钙钛矿 MAPbI3 作为阻变层，并在其与顶电极间插入 Nb2C 阻挡层。该设计结合顶电极保护层，显著优化导电细丝形成可控性，提升器件稳定性并降低功耗。其制备工艺简便高效，成本低廉，为类脑计算系统提供可靠解决方案。

技术提供单位：南京邮电大学