该技术聚焦MicroLED芯片制造中的衬底激光剥离工艺，通过紫外激光辐照蓝宝石/GaN界面形成高温分解层，实现微米级芯片的低损伤衬底剥离。该工艺突破传统植球打线对微缩芯片的限制，采用垂直结构提升发光效率，可适配GaN/Sapphire、ITO及ZnO等多种材料体系，为新一代高密度微显示技术提供核心制造支撑。
技术提供单位：半导体研究所