该技术针对SiC基GaN外延中热失配和层错问题，创新采用PECVD法低温制备AlN/SiN缓冲层以替代高成本MOCVD工艺。通过优化反应物配比与沉积条件，成功制备出低内应力或可控压应力的高质量缓冲层薄膜，有效改善GaN外延质量，为SiC基功率器件制造提供低成本解决方案。
技术提供单位：南京邮电大学